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通过滚球上岸的:“产学研”一体战略推动我国湿电子化学品行业发展 产业链协同作用将增强 预测2025年产值规模将超过90亿元【图】

2018年09月19日 13:54:08字号:T|T

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    电子化学品位于电子产业链的上游,技术壁垒较高,其关键是针对不同产品的不同特性而应采取何种提纯技术。目前国内外制备超净高纯试剂的常用提纯技术主要有精馏、蒸馏、升华、气体吸收等方式,生产对于设备、环境洁净度要求极为严苛。

    国内受技术发展限制,湿电子化学品领域与国外尚有较大差距,高端市场主要集中在美、日、欧等少数大厂商手中,比如在对电子化学品纯度等级要求较高的半导体和平板显示领域,我国内资企业市场占有率仅达到25%左右。

    电子化学品上游行业为基础化工材料,我国化工原料市场程度高,供应充足。电子化学品下游行业多为集成电路、平板显示、LED等资本密集、技术密集型行业,按照应用领域不同,对产品的纯度、洁净度也有不同要求,以集成电路领域为例,线宽越窄所需电子化学品纯度越高,对应产品附加值也越高。

湿电子化学品产业环节

资料来源:智研咨询整理

2017年我国湿电子化学品需求结构分析

资料来源:智研咨询整理

    按湿电子化学品下游行业的技术要求分,半导体集成电路制造工艺用湿电子化学品是技术要求最高的领域,其次是平板显示领域。在半导体生产过程中,大规模集成电路工艺有几十道工序,工艺制造过程中的空气、水、各种气体、化学试剂、工作环境、电磁环境噪声以及微振动、操作人员、使用的工具、器具等各种因素都可能带来污染物,这些污染物可能会是微粒杂质、无机离子、有机物质、微生物以及气体杂质等物质。而这些污染物都需要相关的超净高纯试剂去除。污染物数量超过一定限度时,就会使集成电路产品发生表面擦伤、图形断线、短路、针孔、剥离等现象。这会导致漏电、电特性异常等情况,轻者影响电路使用寿命,严重时可导致电路报废。

杂质对集成电路的危害

杂质
杂质的危害
Au、Pt、Fe、Ni、Cu
这类杂质属于硅片中的快扩散物质、也是俘获中心。
影响元器件的可靠性和阈值电压,导致低击穿和缺陷。
碱金属,尤其 Na,K
可造成元器件漏电,造成低击穿。
非金属离子 F-,Cl-
影响化学气相淀积(CVD)工艺和钝化工艺,导致外
延片层错增加。
P,As,Sb,B,Al 等Ⅱ~Ⅵ组元素
属于硅片中的浅能级杂质,有扩散作用,可影响电子和空穴的数量。P、As、Sb 是 N 型杂质,当过量时能使 P 型硅片反型;B、Al 是 P 型杂质,若过量也会反型。
固体颗粒:包括尘埃、金属氧化物晶体、水管、离子交换树脂碎片、各种过滤膜的纤维、细菌和微生物的尸体等
造成光刻缺陷,氧化层不平整,影响制版质量,影响等离子刻蚀工艺。
细菌
水和化学试剂中的细菌能造成颗粒型缺陷和污染。细菌分解的有机酸会使水的电阻率降低。
硅酸根
水和化学试剂中的硅酸根会使磷硅玻璃起雾,阈值电压变化。在等离子刻蚀工艺中 SiO2 会造成颗粒污染形成缺陷。
总有机碳( TOC)
水和试剂中的 TOC 影响栅氧化的击穿电压,造成水雾,使氧化层厚度不均。

资料来源:智研咨询整理

    在大屏幕、高清晰显示面板的制造过程中,湿电子化学品所含的金属离子和个别尘埃颗粒,都会让面板产生极大的缺陷,同时,平板显示的制造工艺对湿电子化学品的功能性要求较高,清洗的清洁度,蚀刻的方向、角度以及对不同金属的蚀刻速率差异均会影响平板显示的品质。

    所以,在微电子制造的清洗、光刻、显影、刻蚀、掺杂等工艺环节都需要使用功能性湿电子化学品去除污染物,使污染物控制在规定的标准范围内,同时,微电子制造工艺对湿电子化学品本身的产品品质、质量和功能性也有较高的要求。

    随着我国湿电子化学上下游的精细化工和下游的半导体行业的发展,产业上下游的之间的协同作用将会逐渐增强,“产学研”一体的创新战略对行业发展的推动力也会显著的增强,同时在未来,我国在这一领域的产业扶持政策预期,对中小企业的培育能力将会增强,国内企业的从业主体将会逐渐增加,低端产品大范围实现进口替代,中高端产品的进口替代将会加速行业内市场竞争将会更加激烈。

    智研咨询发布的《2019-2025年中国湿电子化学品市场运行态势与投资前景评估报告》数据显示:2025年我国湿电子化学品产值规模将超过90亿元。

2019年~2025年中国湿电子化学品行业产值预测

资料来源:智研咨询整理

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